P14NK50ZFP 时间：2025/7/23 2:08:59 阅读：6

P14NK50ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制等高功率场合。该器件采用TO-220FP封装，具备较高的耐压能力和较大的电流承载能力，适用于中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：14A（在Tc=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

P14NK50ZFP 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达500V，使其适用于高压应用环境，如工业电源和变频器。此外，该MOSFET的导通电阻较低，最大为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其14A的连续漏极电流能力，使其适用于较高功率的开关应用。
　　该器件采用了先进的平面工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，在高温度环境下仍能保持稳定的性能。TO-220FP封装不仅便于安装和散热，还具有良好的电气隔离能力，适合在各种电源系统中使用。
　　P14NK50ZFP 的栅极阈值电压范围为2V至4V，适合使用常见的3.3V或5V控制信号进行驱动，兼容多种逻辑电平控制电路，如微控制器和PWM控制器。此外，其50W的最大功耗允许在较高的工作温度下运行，提高了在恶劣环境中的可靠性。
　　这款MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在发生过压或负载突变的情况下提供一定的保护，提升系统的稳定性。这些特性使得P14NK50ZFP 成为工业电源、马达驱动、UPS、照明系统和家电控制等领域的理想选择。