CPB7422-0290F是一款由L3Harris Technologies(原Harris Semiconductor)生产的射频功率晶体管,属于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术的功率放大器晶体管。该器件专为高频射频功率放大应用而设计,广泛应用于通信基础设施、广播系统、雷达和测试设备等领域。CPB7422-0290F能够在高频率下提供高输出功率和高效率,适用于需要高线性度和稳定性的应用场景。
频率范围:860 MHz - 960 MHz
输出功率:290 W(典型值)
增益:23 dB(典型值)
漏极效率:35%(典型值)
工作电压:VDD = 28 V
输入驻波比(VSWR):2.5:1(最大值)
热阻(Rth):0.15°C/W(典型值)
封装类型:Flanged Package(法兰封装)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CPB7422-0290F采用了LDMOS技术,具备高功率密度和良好的热稳定性,能够在高频率下提供出色的性能。该晶体管在860 MHz至960 MHz频段内能够输出高达290 W的连续波(CW)功率,适用于多种射频放大应用。
该器件的增益为23 dB,能够在较宽的频率范围内保持稳定的放大性能。其漏极效率可达35%,有助于降低功耗并提高系统整体能效。
CPB7422-0290F具有良好的输入驻波比(VSWR),最大值为2.5:1,确保了在各种负载条件下都能保持良好的信号传输效率。此外,其热阻为0.15°C/W,表明其具有良好的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
该晶体管采用法兰封装,便于安装和散热,适用于需要高可靠性和高稳定性的工业级应用。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适合在极端环境下运行。
CPB7422-0290F还具备良好的抗失真能力和高线性度,适合用于需要高保真信号放大的应用,如基站发射机和广播设备。
CPB7422-0290F主要用于射频功率放大器的设计,适用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播发射机和雷达系统。它还可用于测试和测量设备中的高功率射频信号源,以及工业和医疗射频设备中的功率放大模块。
在通信系统中,CPB7422-0290F可用于多载波功率放大器(MCPA)和单载波功率放大器(SCPA),支持多种通信标准,如GSM、CDMA、WCDMA和LTE。其高线性度和稳定性使其成为高要求通信设备的理想选择。
此外,该晶体管也适用于广播系统,如调频(FM)和电视广播发射机,能够在高功率条件下提供稳定的信号输出。在雷达系统中,它可以用于脉冲功率放大器的设计,提供高输出功率和快速响应能力。
由于其良好的热稳定性和高可靠性,CPB7422-0290F也可用于军事和航空航天领域的射频功率放大器模块,满足高可靠性要求的应用场景。
NXP AFT05HP290S、Cree CGH40025、STMicroelectronics STD12NM52N