ZVN2110G 时间：2025/5/8 15:17:47 阅读：19

ZVN2110G是一款N沟道增强型垂直DMOS功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和低功耗应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合于电源管理、电机驱动以及负载开关等应用领域。
　　这款MOSFET在设计上注重效率与性能的平衡，其优化的栅极电荷和阈值电压使得它在便携式设备和消费类电子产品中表现出色。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大漏电流：1.6A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（在Vgs=10V时）
　　总栅极电荷：13nC
　　输入电容：380pF
　　开关时间：ton=25ns，toff=15ns
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

ZVN2110G具有以下显著特点：
　　1. 高效的开关性能，适合高频应用环境。
　　2. 低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　3. 小巧的TO-92封装形式，节省电路板空间。
　　4. 较高的雪崩击穿能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
　　5. 宽泛的工作温度区间，能够适应各种恶劣的工作条件。
　　6. 栅极驱动要求低，便于与逻辑电路兼容。

应用

ZVN2110G广泛应用于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流或辅助开关。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 负载开关和电池保护电路。
　　4. 消费类电子产品的电源管理模块。
　　5. 电机控制及驱动电路中的功率级开关。
　　6. 各种便携式设备中的信号切换和隔离功能实现。