工作频率范围：869 MHz 至 960 MHz
　　输出功率：典型值 30 dBm
　　增益：典型值 28 dB
　　效率：典型值 45%
　　工作电压：+5V
　　输入驻波比（VSWR）：典型值 1.5:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RF2373SB 具有多个显著的性能特性，确保其在复杂的无线通信系统中稳定运行。首先，它采用了 GaAs HBT 技术，这种技术不仅提供了高功率密度，还具有优异的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的高要求环境。其次，RF2373SB 提供了高达 28 dB 的线性增益，使其能够有效地放大输入信号，同时保持较低的噪声水平，从而确保通信链路的高质量传输。
　　此外，该芯片的效率可达 45%，在保证高性能的同时，有效降低了功耗和散热需求，这对于需要长时间运行的基站设备尤为重要。RF2373SB 在 869 MHz 至 960 MHz 频段内的良好匹配能力使其适用于多种蜂窝通信标准，包括 GSM 和 EDGE，支持多标准、多频段设备的开发。
　　该器件的工作电压为 +5V，简化了电源设计，便于集成到现有系统中。其输入驻波比（VSWR）典型值为 1.5:1，表明其在射频信号传输中的反射损耗较低，从而提高了系统的整体效率。同时，该芯片能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛的工业环境。

RF2373SB 主要用于蜂窝通信基站、无线基础设施设备、GSM/EDGE 功率放大器模块、测试和测量设备以及需要高线性度和高效率的射频功率放大应用。由于其高集成度和优良的性能，该芯片在无线通信领域得到了广泛的应用，尤其是在需要稳定、高功率射频放大的场景中。此外，该芯片也可用于射频测试设备、工业控制系统以及远程无线通信模块中。

RF2373SB 的替代型号包括 RF2373 和 RF2375。这些型号同样由 Qorvo（原 RF Micro Devices）提供，具有相似的性能特点，适用于类似的射频功率放大应用场景。