类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:NPN 雪崩模式
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):25 @ 10mA, 10V
功率 - 最大:680mW
频率 - 转换:40MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:散装
供应商设备封装:*