时间：2025/7/8 15:35:53
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IPP80N08S2L-07 是英飞凌（Infineon）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
这款功率 MOSFET 的设计注重降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统的整体性能。其优化的芯片设计和封装技术使其能够在高频率和高电流的应用环境中表现出色。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：149A
导通电阻：1.35mΩ
栅极电荷：125nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPP80N08S2L-07 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下为 1.35mΩ，有助于减少导通时的能量损耗。
2. 高额定电流能力，连续漏极电流可达 149A，适用于大功率应用。
3. 采用了先进的 TOLL 封装技术，提供更好的热性能和电气连接。
4. 较低的栅极电荷 (Qg)，减少了开关过程中的能量损失，提高了效率。
5. 支持高温运行，最高结温可达 175℃，增强了器件的可靠性和稳定性。
6. 紧凑的封装尺寸，方便 PCB 布局设计。
IPP80N08S2L-07 适用于多种工业和消费类电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电系统。
4. 工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
5. 高效能服务器电源模块和通信电源系统。
6. 快速充电器和其他便携式设备的电源管理部分。
IPP80N08S2L
