IXDD614CI 时间：2025/7/18 14:09:05 阅读：3

IXDD614CI 是一款由 IXYS 公司制造的高速、双路、非反相 MOSFET 驱动器集成电路，专为驱动高功率 MOSFET 和 IGBT 设计。该芯片采用先进的高压集成电路技术，具有出色的驱动能力和抗干扰性能，适用于各种电源转换和电机控制应用。IXDD614CI 采用 8 引脚 DIP 或 SOIC 封装，适合工业级应用。

参数

供电电压：10V 至 20V
　　输出峰值电流：4A（源电流和灌电流）
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　传播延迟时间：约 8ns
　　上升时间：约 5ns
　　下降时间：约 4ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8 引脚 PDIP 或 SOIC

特性

IXDD614CI 的主要特性包括高速驱动能力，能够快速开关 MOSFET 和 IGBT，从而减少开关损耗并提高系统效率。其双路非反相输出设计适用于同步整流、H 桥电路和半桥拓扑等应用场景。该芯片内置欠压锁定（UVLO）功能，可在电源电压不足时自动关闭输出，防止器件损坏。此外，IXDD614CI 具有较强的抗噪声干扰能力，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。其输入端与 CMOS 和 TTL 电平兼容，便于与各种控制器连接。芯片的输出端具有低输出阻抗，可提供高达 4A 的峰值电流，确保快速充放电栅极电容。
　　另外，IXDD614CI 采用高压工艺制造，能够承受较高的电压应力，适用于工作电压较高的功率转换系统。其封装形式多样，包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC，便于在不同 PCB 设计中使用。整体设计保证了在高温和高负载条件下的可靠运行，适合工业、汽车和通信设备等高要求环境。

应用

IXDD614CI 主要用于需要高速、高可靠性的功率电子系统中。常见应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、电源管理系统、同步整流器、H 桥电路和半桥拓扑结构等。该芯片也广泛应用于工业自动化、电动汽车充电系统、光伏逆变器以及各类高功率开关电源设备中。由于其出色的驱动能力和抗干扰性能，IXDD614CI 也非常适合用于高频开关电路，以提高整体系统的效率和稳定性。