ZRB18AR60J226ME01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:ZRB18AR60J226ME01L
类型:N-Channel MOSFET
封装形式:TO-247
最大漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):18A
栅极电荷(Qg):35nC
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
工作温度范围:-55℃ to 150℃
ZRB18AR60J226ME01L 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关性能,支持高频应用,同时保持较低的开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,适用于高功率应用场景。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场要求。
该芯片的应用领域非常广泛,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 直流/直流转换器中的同步整流管。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 新能源汽车中的电池管理系统 (BMS) 和逆变器设计。
ZRB18AR60J226ME01H, ZRB18AR60J226ME01G