MP18R1624EF0-CM8 是一款高性能的功率 MOSFET,基于先进的半导体制造工艺设计。该器件主要应用于需要高效能和低功耗的电路中,适用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理相关领域。其优化的 Rds(on) 和 Qg 参数使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:16A
导通电阻:2.4mΩ
栅极电荷:35nC
总电容:590pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MP18R1624EF0-CM8 具有超低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗并提高系统效率。同时,它具备较低的栅极电荷 (Qg),有助于减少开关损耗,特别适合高频操作环境。
此外,该器件采用了先进的封装技术,具备出色的热性能和电气性能,从而支持更高的功率密度和更紧凑的设计。其高可靠性设计能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行,并且符合 RoHS 标准。
MP18R1624EF0-CM8 广泛应用于各种功率转换场景,包括但不限于:
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 电池保护电路
- 工业自动化设备中的功率控制模块
- 消费类电子产品的负载开关
MP18R1624EF0-DG8
IRL3103PBF
FDP16N03L