KTC2875-A-RTK 是一款由 KEC(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源管理应用,例如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器以及负载开关等。这款 MOSFET 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和良好的热性能,能够在较高频率下运行,同时保持较低的开关损耗。其封装形式通常为 TO-252(DPAK)或类似的表面贴装封装,方便在各种电子电路中集成。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id):80A
最大漏源电压 (Vds):60V
最大栅源电压 (Vgs):±20V
导通电阻 (Rds(on)):≤2.8mΩ(典型值)
功率耗散 (Pd):100W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
KTC2875-A-RTK 的主要特性之一是其非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗,从而提高了整体效率。由于其出色的导热性能,该器件可以在较高的工作温度下保持稳定,适用于紧凑型设计和对热管理要求较高的应用。
此外,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,通常可以在 4.5V 至 20V 之间正常工作,使其兼容多种驱动电路,包括低压控制器。它的开关速度较快,适合用于高频开关电路,从而减少外部电感和电容的尺寸,进一步缩小整体电源模块的体积。
在可靠性方面,KTC2875-A-RTK 具有良好的雪崩能量耐受能力,能够在异常工况(如短路或过载)下提供一定程度的保护,从而延长设备的使用寿命。此外,该器件的封装设计有助于提高散热性能,减少因热量积聚而导致的性能下降。
总的来说,KTC2875-A-RTK 是一款适用于高效率、高电流电源转换应用的高性能 MOSFET,具备低导通损耗、高可靠性和良好的热管理能力。
KTC2875-A-RTK 广泛应用于多种电力电子系统中,尤其是在需要高效率和高电流能力的场合。例如,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,以提高转换效率并减少发热。在 DC-DC 转换器中,该器件可用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑结构,支持多种电压调节方案。
此外,该 MOSFET 还适用于电池管理系统(BMS)、电动工具、电动车控制器、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制部分。在服务器电源、通信设备电源以及 UPS(不间断电源)等高可靠性系统中,KTC2875-A-RTK 也能发挥出色的性能。
由于其快速开关特性和低导通电阻,该器件也常用于同步整流电路中,以替代传统的二极管整流器,从而提高系统效率并降低整体功耗。
IRF1405, STP80NF55, FDP80N06