ZP-5H+ 时间：2025/12/28 13:15:53 阅读：14

ZP-5H+ 是一款由Zetex Semiconductors（现为Diodes Incorporated旗下品牌）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。ZP-5H+采用SOT-23小外形封装，具有体积小、热阻低和便于表面贴装的优点，适合空间受限的便携式电子产品使用。其内部结构优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，能够在低电压控制条件下实现快速开关响应，同时降低传导损耗和动态功耗。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C 至 +150°C）可稳定工作，满足多种严苛环境下的应用需求。ZP-5H+常用于负载开关、电池供电设备中的电源切换、LED驱动电路以及小型电源模块中，作为主控开关元件发挥关键作用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：1.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：5.6A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.35Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：0.45Ω
　　栅极电荷（Qg）@10V：6.8nC
　　输入电容（Ciss）：220pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　反向恢复时间（trr）：22ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

ZP-5H+ 具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于在低栅压驱动条件下仍能保持较低的导通电阻，这使得它特别适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合。该器件在 VGS = 4.5V 时 RDS(on) 典型值仅为 0.45Ω，意味着即使在电池供电系统中电压逐渐下降的情况下，依然能够维持较高的效率，减少能量损耗。这种特性使其广泛应用于移动设备、便携式仪器和嵌入式控制系统中的电源管理部分。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽栅工艺制造，提升了单位面积下的电流承载能力，并有效降低了寄生参数的影响。其输入电容仅为220pF，配合较低的栅极电荷（Qg = 6.8nC），显著减少了开关过程中的驱动损耗，提高了系统的整体能效。这对于高频工作的DC-DC变换器尤为重要，因为它允许更快的开关速度而不会带来过高的驱动功率开销。
　　ZP-5H+ 还具备较强的抗雪崩能力和良好的SOA（安全工作区）表现，能够在瞬态过载或短路情况下提供一定程度的自我保护。其内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 22ns），有助于减少换流过程中的尖峰电压和电磁干扰，提升系统可靠性。此外，SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过合理布局即可实现有效的热量散发。
　　该器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色电子制造流程。其高一致性的生产工艺确保了批次间的参数稳定性，便于大规模生产中的品质控制。综合来看，ZP-5H+ 是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的中小功率MOSFET解决方案，适合对成本敏感且要求高性能的消费类及工业类电子设备使用。

应用

ZP-5H+ 主要应用于需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型用途包括便携式电子设备中的电池电源切换与负载开关控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理。在这些应用中，ZP-5H+ 可作为高边或低边开关，用于启用或禁用特定功能模块以节省功耗。
　　此外，该器件也常用于同步整流型DC-DC降压或升压转换器中，作为主开关或续流开关，利用其低导通电阻特性来提高电源转换效率。在LED照明驱动电路中，ZP-5H+ 可用于恒流调节或PWM调光控制，实现精确的亮度管理。
　　工业自动化设备中的传感器供电控制、继电器驱动接口以及小型电机驱动电路也是其常见应用场景。由于其具备良好的高温工作能力，ZP-5H+ 同样适用于汽车电子外围模块，如车载信息终端、车灯控制单元等非主动力系统中的低压功率控制任务。