时间：2025/9/6 14:38:33
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HM514400BS6 是一款由Hynix（现代半导体）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM器件，采用CMOS工艺制造，广泛用于需要较高数据处理速度的电子设备中。HM514400BS6的容量为16MB，数据宽度为4位，工作电压为5V，适合在多种应用环境中使用。这款芯片采用了标准的封装形式，具备较好的稳定性和可靠性。
容量：16MB
数据宽度：4位
工作电压：5V
封装类型：TSOP
工作温度范围：0°C至70°C
时钟频率：100MHz
存取时间：5.4ns
引脚数量：50
接口类型：并行
内存组织：4M x 4
HM514400BS6是一款高性能的DRAM芯片，具备高速数据存取能力，适用于需要快速响应的系统。其采用CMOS工艺制造，不仅降低了功耗，还提升了整体稳定性。此外，该芯片支持标准的并行接口，便于集成到多种电子系统中。
该芯片的工作电压为5V，确保了在各种电子设备中的兼容性。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有良好的散热性能和空间利用率，适合在空间受限的环境中使用。同时，HM514400BS6具有50个引脚，支持高速数据传输和稳定的工作性能。
在性能方面，该芯片的时钟频率可达100MHz，提供5.4ns的快速存取时间，使其能够满足需要快速处理数据的应用需求。此外，其工作温度范围为0°C至70°C，能够在多种环境条件下保持稳定的运行。
HM514400BS6广泛应用于需要高数据处理速度的电子设备中，如计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信设备等。由于其高速特性和良好的稳定性，该芯片也常用于图像处理、多媒体设备和高性能计算系统中。
HM514400BTA、HM514400BTF、HM514400BS5
