时间：2025/8/2 8:22:10
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SSM6N15AFE是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽栅极结构，具有较低的导通电阻和高效率，适用于高频率开关操作。SSM6N15AFE采用DFN1006-6封装形式，适合需要高功率密度和小尺寸的设计需求。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：最大6.5A
漏源极电压（VDS）：最大20V
栅源极电压（VGS）：最大±8V
导通电阻（RDS(on)）：最大15mΩ @ VGS = 4.5V
导通电阻（RDS(on)）：最大20mΩ @ VGS = 2.5V
功耗（PD）：最大2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：DFN1006-6
SSM6N15AFE具有优异的导通性能，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流应用中能够显著减少功率损耗。该器件支持高频率开关操作，适用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用。DFN1006-6封装设计不仅提供了良好的热管理性能，还实现了小尺寸和轻量化，非常适用于便携式电子设备和紧凑型电源设计。
该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，同时具有较低的热阻，有助于提高整体系统的效率和可靠性。此外，SSM6N15AFE的栅极驱动电压范围较宽，支持从2.5V到4.5V的栅极驱动，适用于多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
SSM6N15AFE广泛应用于多个领域，包括但不限于：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源管理和电池保护电路；DC-DC转换器和同步整流器；电机驱动和负载开关控制；LED照明驱动电路；以及工业自动化和控制系统中的功率管理模块。其高效率和小尺寸特性使其成为高密度电源设计的理想选择。
SiSS15DN, BSS138K, 2N7002, AO3400A
