类型：瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array）
　　工作电压（VRWM）：9V
　　击穿电压（VBR）：10V（最大值）
　　钳位电压（VC）：14.5V（典型值，IPP=1A）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　电容值（C）：3.5pF（典型值，f=1MHz）
　　通道数：2通道
　　极性：双向
　　封装形式：MicroSMDC（双引脚）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　ESD耐压：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）

ZMR-09的核心特性之一是其低动态电阻与快速响应能力，使其能够在纳秒级别内对瞬态过电压做出反应，迅速将电压钳制在安全范围内，从而有效保护后端集成电路免受ESD和EFT等瞬态干扰的影响。该器件采用先进的半导体工艺制造，内部结构包含两个独立的双向TVS二极管，每个二极管均可承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电，完全符合IEC 61000-4-2国际标准中最严苛的Level 4等级要求。这种高防护等级使得ZMR-09非常适合部署在用户频繁插拔接口或暴露于外部环境的设备中，例如手机耳机孔、充电端口、数据接口等易受人体静电影响的位置。
　　另一个显著特点是其极低的结电容（典型值仅为3.5pF），这一参数对于高速信号传输至关重要。在现代通信系统中，如USB 2.0、HDMI、MIPI、I2C等高速差分或单端总线，若保护元件的寄生电容过大，会导致信号上升/下降沿变缓、产生反射或串扰，进而引发误码率升高甚至通信失败。ZMR-09凭借其低电容设计，在不影响信号完整性的前提下实现高效保护，确保数据传输的稳定性与可靠性。此外，其双向导通特性允许它适用于交流信号或双向数据线，无需考虑极性接反问题，提升了设计灵活性。
　　从封装角度来看，ZMR-09采用MicroSMDC小型表面贴装封装，尺寸紧凑（典型尺寸约为1.0mm x 0.6mm x 0.5mm），非常适合空间受限的便携式电子产品。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度，能够适应回流焊工艺，并在振动、湿度变化等恶劣环境下保持长期可靠运行。同时，该器件功耗低，在正常工作状态下几乎不消耗额外电流，不会增加系统能耗。综合来看，ZMR-09在性能、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是高速接口ESD保护的理想选择之一。

ZMR-09主要应用于各类需要高等级静电放电保护的电子设备中，尤其是在高速数据接口和便携式消费电子产品领域表现突出。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、音频插孔、SIM卡槽、TF卡接口以及触摸屏信号线的ESD防护。在这些设备中，用户频繁进行插拔操作或直接接触接口，极易引入人体静电，而ZMR-09能够有效吸收并泄放这些瞬态能量，避免敏感的主控芯片或传感器因过压而损坏。
　　此外，该器件也广泛用于笔记本电脑、智能手表、无线耳机等可穿戴设备的数据传输线路保护。在工业控制和物联网终端中，ZMR-09可用于RS-232、RS-485、CAN总线等通信接口的瞬态抑制，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。在汽车电子领域，尽管其并非AEC-Q101认证器件，但在部分非关键车载信息娱乐系统的辅助接口中也有应用案例。
　　由于其低电容和双向特性，ZMR-09还可用于HDMI、DisplayPort、MIPI D-PHY等高速差分信号通道的保护，确保高清视频和大数据量传输过程中的信号完整性不受影响。在医疗电子设备中，特别是手持式诊断仪器和便携式监护仪中，ZMR-09也被用来保护与外界连接的传感器输入端口，防止静电损伤导致测量误差或设备故障。总之，凡是存在ESD风险且对信号带宽有一定要求的应用场景，ZMR-09都能提供可靠的解决方案。

SP1206-09CT-G
　　ESD9L5.0ST5G
　　TPD3E090DSR