类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装：SOD-523
　　电压容差：±5%
　　标称齐纳电压（Vz）：4.7V
　　最大齐纳电流（Iz max）：200mA
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　反向漏电流（IR）：≤ 100nA（在额定电压以下）
　　齐纳阻抗（Zz）：约 100Ω（典型值）

ZMM55-B4V7T/R 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性，适用于广泛的电子电路设计。
　　首先，该器件的齐纳电压为 4.7V，具备±5% 的电压容限，这确保了在不同工作条件下电压参考的准确性与稳定性。其齐纳电压随温度变化较小，具有良好的温度稳定性，适合用于高精度的电压调节场合。
　　其次，ZMM55-B4V7T/R 采用 SOD-523 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 布局，同时支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产与焊接。该封装也具有良好的热管理和电气性能，能够满足大多数便携式电子设备和小型模块的设计需求。
　　此外，该器件的最大齐纳电流为 200mA，最大功耗为 300mW，使其能够在中等功率需求的稳压应用中可靠工作。齐纳阻抗较低（典型值 100Ω），有助于在负载变化时保持电压稳定，减少输出波动。反向漏电流极低（≤100nA），保证了在非击穿状态下的电路性能不受干扰。
　　最后，ZMM55-B4V7T/R 具有宽泛的温度适应范围（-55°C 至 +150°C），适合在恶劣工业环境中使用，例如汽车电子、工业控制设备和户外通信模块。

ZMM55-B4V7T/R 齐纳二极管广泛应用于各类需要稳定电压参考或过压保护的电路中。常见应用包括：
　　? 电压参考源：用于 ADC、DAC 或精密模拟电路中的基准电压源，提供稳定的 4.7V 电压参考；
　　? 电源管理电路：在开关电源、线性稳压器或电池管理系统中作为反馈参考元件；
　　? 过压保护电路：用于保护敏感电子元件免受瞬态电压或静电放电（ESD）的影响；
　　? 信号调节电路：在运算放大器电路或比较器中作为参考电压使用；
　　? 工业控制与测量设备：如传感器信号调理、仪表校准电路等；
　　? 汽车电子：用于车载电子系统中的电压监测和稳压功能；
　　? 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块。

ZMM55C4V7N-7-F, ZMM55B4V7, ZD4.7B, BZX84C4V7