时间：2025/6/24 4:29:47
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HV1H226M0605PZ 是一款高性能的 MOSFET 功率器件，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
它能够承受较高的电压，并提供高效的电流传输能力，适用于需要高效率和高可靠性的应用场合。
型号：HV1H226M0605PZ
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω
总功耗（Ptot）：240W
封装形式：TO-247
HV1H226M0605PZ 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，减少了开关过程中的能量损失。
4. 优异的热稳定性，确保在高温环境下的可靠性。
5. 小型化的封装设计，在不牺牲性能的前提下节省了印刷电路板的空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
HV1H226M0605PZ 常见的应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS），如 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路，用于工业自动化和家用电器。
3. 逆变器和 UPS 系统。
4. LED 驱动器，特别在大功率照明应用中。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统。
这款 MOSFET 的高电压和大电流处理能力使其成为许多高功率电子设备的理想选择。
HV1H226M0605PZA, IRFP460, STP16NF50
