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BZX84C7V5LT116 发布时间 时间:2025/11/7 19:40:47 查看 阅读:76

BZX84C7V5LT116是一款表面贴装小信号齐纳二极管,由ON Semiconductor(安森美)生产。该器件属于BZX84系列,专为电压调节和电路保护应用设计,适用于需要稳定参考电压的电子系统。其标称齐纳电压为7.5V,在规定的测试电流下能够提供精确且稳定的电压箝位性能。该器件采用SOD-123封装,具有体积小、功耗低、热稳定性好等特点,非常适合在便携式设备、消费类电子产品以及工业控制电路中使用。BZX84C7V5LT116能够在较小的封装内实现高效的电压调节功能,并具备良好的动态阻抗特性,确保在负载变化或输入波动时仍能维持输出电压的稳定。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代自动化表面贴装生产线。其高可靠性和长期稳定性使其成为众多精密模拟电路和数字逻辑电路中的关键元件之一。

参数

型号:BZX84C7V5LT116
  制造商:ON Semiconductor
  齐纳电压(标称):7.5 V
  齐纳电压容差:±5%
  测试电流(IZT):5 mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):35 Ω
  反向漏电流(IR):5 μA(最大值,VR = 5.5V)
  功率耗散(PD):225 mW
  工作结温范围:-65 °C 至 +150 °C
  封装类型:SOD-123
  安装类型:表面贴装(SMD)
  极性:单齐纳二极管
  通道数:1
  湿度敏感等级(MSL):1(无限)
  无铅状态:符合 RoHS 指令

特性

BZX84C7V5LT116作为一款高性能的小型齐纳二极管,具备多项优异的电气与物理特性,适用于广泛的应用场景。其最显著的特点是具有精确的7.5V齐纳击穿电压,并在±5%的容差范围内保证电压精度,这使得它非常适合作为基准电压源或用于电源轨的稳压设计。在5mA的测试电流下,其动态阻抗最大仅为35Ω,意味着即使在负载轻微波动的情况下也能维持稳定的输出电压,从而提高整个系统的稳定性。
  该器件采用SOD-123超小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),适合高密度PCB布局,特别适用于空间受限的便携式设备如智能手机、可穿戴设备和物联网模块等。同时,其225mW的额定功率允许在适度功耗条件下长时间运行,结合良好的热传导设计,可在各种环境温度下保持可靠工作。
  BZX84C7V5LT116还表现出优秀的反向漏电流控制能力,在反向电压为5.5V时最大漏电流仅为5μA,有助于降低待机功耗并提升能效表现。其宽广的工作结温范围从-65°C到+150°C,使其不仅能在常温环境下稳定运行,也适用于高温工业环境或低温户外设备中。
  该器件通过了严格的可靠性认证,具备良好的长期老化稳定性,确保在多年使用后仍能维持初始电气参数。此外,产品符合RoHS指令要求,不含铅、汞、镉等有害物质,支持环保生产工艺,并兼容无铅回流焊流程,满足现代电子制造对绿色产品的需求。其MSL等级为1级,表示在正常存储条件下无需特殊防潮处理,便于仓储和自动化贴片操作。

应用

BZX84C7V5LT116广泛应用于各类需要电压参考、稳压或过压保护的电子电路中。常见用途包括在低压直流电源系统中作为基准电压源,为比较器、运算放大器或其他模拟前端电路提供稳定的偏置电压。由于其7.5V的齐纳电压接近常见的逻辑电平转换节点,因此常被用于接口电平匹配电路中,防止因电压过高导致后级IC损坏。
  在消费类电子产品中,例如手机充电管理模块、USB接口保护电路或传感器供电单元,该器件可用于钳制瞬态电压尖峰,起到ESD(静电放电)防护和浪涌抑制的作用。其快速响应特性和低动态阻抗使其能够有效吸收短时高压脉冲,保护敏感元器件。
  在工业控制系统中,BZX84C7V5LT116可用于PLC输入/输出模块的信号调理电路,确保采集信号不会超出ADC的输入范围。此外,在电池供电设备中,它可以作为欠压或过压检测电路的一部分,配合分压网络实现电压监控功能。
  该器件也常用于反馈式开关电源中的辅助绕组电压采样回路,提供一个稳定的参考点以调节主输出电压。由于其高精度和良好温度稳定性,即使在环境温度剧烈变化的场合也能保持较高的调节精度。另外,在汽车电子非驱动类应用(如车载信息娱乐系统的电源管理)中,只要不超过其功率限制,也可用作局部稳压元件。

替代型号

MMBZ5236BLT1G

MCP1541T-75I/TT

SMBJ7.5ALT3G

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BZX84C7V5LT116参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥1.83000剪切带(CT)3,000 : ¥0.32017卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)7.5 V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)15 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SSD3