时间：2025/6/28 18:59:15
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CDR34BX154AMZPAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管。它具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能，适用于高频功率转换应用。该器件采用了先进的封装技术，确保了卓越的电气特性和可靠性。这种 SiC MOSFET 在电动汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和工业电机驱动等领域中表现出色。
由于其材料特性，SiC 器件能够在更高的温度下整体系统效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：28A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：120nC
开关频率：100kHz-1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
CDR34BX154AMZPAT 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换能力，适合高频应用。
2. 低导通电阻（Rds(on)），减少了传导损耗。
3. 快速开关性能，降低了开关损耗。
4. 碳化硅材料使其具备出色的高温稳定性。
5. 强大的抗电磁干扰能力。
6. 封装设计优化散热性能，简化了系统热管理。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 电动车车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器。
2. 光伏和风能等可再生能源发电中的逆变器。
3. 工业设备中的伺服驱动和变频器。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他需要高效功率转换的应用。
5. 高压电源供应器和电池管理系统 (BMS)。
这些应用充分利用了 CDR34BX154AMZPAT 的高效率和高频特性，有助于减小系统体积并提升能量利用率。
CDR34BX154AMZPBT, CDR34BX154AMZPCAT
