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HY5V660LF-H 发布时间 时间:2025/9/2 1:56:26 查看 阅读:11

HY5V660LF-H是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的高速动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于高速CMOS DRAM类别,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景。HY5V660LF-H采用165-ball FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,具有低功耗、高性能和高集成度的特点。该芯片的存储容量为64MB,组织结构为x16位宽,适用于各种需要中等容量高速存储的设备,如通信设备、嵌入式系统、工业控制和消费电子产品。

参数

容量:64MB
  组织结构:x16位
  类型:DRAM
  封装:165-ball FBGA
  电压:3.3V
  接口类型:LVTTL
  工作温度范围:0°C至70°C
  最大访问时间:5.4ns
  最大工作频率:166MHz

特性

HY5V660LF-H具备高速访问能力,其最大工作频率可达166MHz,访问时间低至5.4ns,确保了快速的数据读写性能。该芯片采用LVTTL(低电压晶体管-晶体管逻辑)接口,兼容多种控制器和外围设备,便于系统集成。此外,HY5V660LF-H在设计上优化了功耗管理,支持自动刷新和自刷新模式,有效降低了待机和运行时的能耗。
  该芯片的工作电压为3.3V,适用于标准电源供应,简化了电源设计。其FBGA封装不仅减小了封装尺寸,还提高了散热性能和电气性能,适用于高密度PCB布局。HY5V660LF-H的工作温度范围为0°C至70°C,适用于工业级和消费类应用环境,确保在不同温度条件下的稳定运行。
  HY5V660LF-H支持异步和同步操作模式,提供灵活的时序控制选项。该芯片内置的刷新机制可确保数据完整性,同时减少外部控制器的负担。此外,其高可靠性和长使用寿命使其成为通信、网络设备、打印机、工业控制等应用的理想选择。

应用

HY5V660LF-H广泛应用于需要中等容量高速存储的设备,如网络路由器和交换机、工业控制设备、嵌入式系统、打印机和多功能办公设备、视频采集与处理设备、医疗设备以及消费类电子产品。该芯片的高性能和低功耗特性使其特别适用于需要长时间稳定运行的系统。

替代型号

IS42S16400F-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1361BV33-166BGC、IDT71V124SA166B

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