CS6N80A4R-G 时间：2025/8/1 20:52:25 阅读：22

CS6N80A4R-G 是一款由 Cree（现为 Wolfspeed）制造的高性能碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET），专为高效率、高频率和高功率密度的应用而设计。这款器件采用了先进的碳化硅半导体技术，具有出色的导通和开关性能，适用于电动车（EV）、可再生能源系统、工业电源转换和储能系统等应用。

参数

类型：碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ
　　栅极电荷（Qg）：105nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247-3L
　　功率耗散（PD）：340W

特性

CS6N80A4R-G 是一款基于碳化硅技术的MOSFET，具有优异的电性能和热管理能力。其主要特性包括低导通电阻（RDS(on)）为80mΩ，这使得在高电流应用中导通损耗显著降低。该器件支持高达800V的漏源电压（VDS）和60A的连续漏极电流（ID），适用于高功率应用场景。其栅极电荷（Qg）为105nC，这有助于降低开关损耗并提高系统效率。此外，CS6N80A4R-G 支持在高温环境下稳定运行，工作温度范围从-55°C至150°C，具备良好的热稳定性和可靠性。
　　这款MOSFET采用TO-247-3L封装，具备优异的热传导性能，有助于提高功率密度和系统可靠性。其低开关损耗特性使其特别适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统。此外，碳化硅材料本身具备高击穿电场和高热导率的优势，使得CS6N80A4R-G在极端工作条件下仍能保持良好的性能和稳定性。
　　CS6N80A4R-G 还具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗并提高整体能效。同时，其设计优化减少了电磁干扰（EMI）和电压尖峰问题，有助于简化外围电路设计并提高系统的稳定性。

应用

CS6N80A4R-G 适用于多种高功率、高效率和高频率的应用场景。常见的应用包括电动车（EV）充电系统、车载逆变器、DC-DC转换器和电池管理系统。在可再生能源领域，该器件广泛应用于太阳能逆变器、风能转换系统以及储能系统中的功率转换模块。此外，CS6N80A4R-G 还可用于工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动和高频电源转换系统。其优异的热管理和高功率密度特性使其成为高要求应用的理想选择。