时间：2025/6/22 3:16:04
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ZGC048TD40K2000 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高电压和大电流应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用场景。
该器件支持高达 1200V 的工作电压，并且具备优异的热性能和可靠性，确保在严苛环境下的稳定运行。
型号：ZGC048TD40K2000
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ（典型值，在特定条件下）
总功耗(Ptot)：200W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ZGC048TD40K2000 具有以下显著特性：
1. 高电压耐受能力，可承受高达 1200V 的漏源电压，适用于高压场景。
2. 低导通电阻，有效降低功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，提升高频应用性能。
4. 强大的散热能力，优化的封装设计有助于高效散热。
5. 高可靠性，经过严格的质量测试，能够在极端温度范围内稳定工作。
6. 短路保护功能，增强系统的安全性和耐用性。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如工业级 AC/DC 转换器。
2. 大功率电机驱动，例如电动汽车、工业设备中的电机控制。
3. 不间断电源 (UPS) 和逆变器系统。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
5. 高压 DC/DC 转换器，用于电信基础设施和数据中心电源解决方案。
ZGC048TD40K1500, ZGC048TD30K2000
