类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：1.8V
　　容差：±5% 或 ±10%（依具体型号）
　　最大耗散功率：200mW / 500mW / 1W（视封装而定）
　　测试电流（IZT）：5mA ~ 20mA
　　动态阻抗（Zzt）：≤50Ω
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323、SOD-123、DO-35 等

齐纳二极管ZD1.8的核心特性在于其能够在低电压条件下实现稳定的反向击穿行为，提供1.8V左右的基准电压输出。这种低电压齐纳管在现代低功耗和便携式电子产品中尤为重要，尤其是在需要精确电压参考但供电电压本身就很低的场合，比如电池管理系统、传感器接口电路或微控制器的电压监测模块。其电压温度系数在特定电流下可接近零，但在1.8V这样的低电压段，齐纳效应与雪崩效应尚未完全交汇，因此温度稳定性相对较差，通常表现出负温度系数，即随着温度升高，齐纳电压略有下降。为了改善温度特性，部分高精度设计会将齐纳二极管与正向偏置的PN结串联以补偿温漂。
　　该器件的动态阻抗决定了其稳压能力的优劣，ZD1.8在典型测试电流下的动态阻抗一般控制在几十欧姆以内，确保在负载电流波动时输出电压波动较小。同时，其响应速度快，适合用作瞬态电压抑制元件，防止敏感电路受到电压尖峰的影响。由于工作在反向击穿模式，必须通过限流电阻或其他限流机制来限制通过器件的电流，避免因过热导致永久性损坏。另外，ZD1.8在正向导通时表现如同普通二极管，正向压降约为0.6~0.7V，这一特性有时也可被利用于双向钳位电路中。
　　制造工艺上，ZD1.8通常采用平面扩散技术，保证了良好的一致性和可靠性。多数产品符合RoHS环保标准，并具备较高的可靠性指标，如高MTBF（平均无故障时间）和宽工作温度范围，适应工业级甚至汽车级应用需求。然而，由于1.8V属于较低的齐纳电压，其击穿特性不如5.6V或6.2V附近的齐纳二极管陡峭，因此在要求极高稳定性的应用中可能需要额外的滤波或缓冲电路配合使用。

ZD1.8常用于需要1.8V稳定电压参考的模拟和数字电路中，尤其适用于低电压电源系统的反馈控制回路，例如DC-DC转换器或LDO稳压器中的分压采样点钳位，防止因外部干扰导致反馈电压异常而影响输出稳定性。在信号调理电路中，它可以作为电平钳位元件，保护后续的ADC输入端免受过压冲击。此外，在通信设备、消费类电子产品如智能手机和平板电脑中，ZD1.8可用于I/O端口的静电放电（ESD）防护，吸收瞬态能量并维持线路电平安全。
　　在电池供电设备中，该器件可用于构建简单的电压检测电路，当电池电压下降至一定阈值时触发关机或报警机制。由于其体积小、成本低，也广泛应用于各类嵌入式系统中的局部稳压需求。在温度变化不剧烈的环境中，ZD1.8可作为低成本的基准源使用，配合运算放大器构成精密参考电压发生器。在某些音频电路中，它还可用于偏置设置或噪声抑制。
　　此外，ZD1.8也可用于非线性电路设计，如限幅器、削波电路或逻辑电平转换器。在多电源域系统中，它可以协助实现不同电压域之间的信号兼容性。尽管其绝对精度和温漂性能不及专用的带隙基准芯片，但在对精度要求不高且追求成本效益的设计中，ZD1.8仍是一种实用且可靠的解决方案。