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1N5353B 发布时间 时间:2025/5/29 22:24:00 查看 阅读:7

1N5353B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,广泛应用于各种电子电路中。该元件具有较高的反向击穿电压和较低的正向压降特性,适用于需要快速开关和高可靠性的电路环境。其设计主要针对浪涌电流保护、电源转换以及高频开关应用。

参数

最大反向工作电压:700V
  最大正向平均整流电流:2A
  峰值正向浪涌电流:269A
  结电容:约20pF
  正向电压(IF=1A):1.1V

特性

1N5353B具备出色的反向耐压能力,能够承受高达700V的反向电压而不发生击穿。
  其低正向电压降确保了在大电流条件下拥有更高的效率,并且可以有效减少功耗。
  由于采用了先进的硅雪崩技术,该二极管在高频和高速开关应用中表现出色。
  此外,1N5353B还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境下长期运行。

应用

1N5353B主要用于电源电路中的整流和保护功能,例如开关电源、逆变器、不间断电源(UPS)等设备。
  它可以作为瞬态电压抑制器(TVS),用于防止过电压对敏感器件造成损害。
  在工业控制领域,该二极管可用于电机驱动器和继电器触点保护。
  另外,在通信设备和汽车电子系统中,1N5353B也常被用来实现信号隔离和电平转换等功能。

替代型号

1N5353BZ, 1N5353

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1N5353B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)16V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 12.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)2.5 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5353BOS