S116P22 时间：2025/8/28 3:37:15 阅读：23

S116P22 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种高功率应用，例如电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。这款器件具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适合在中高功率系统中使用。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25°C）
　　功耗（Ptot）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.018Ω（在Vgs=10V时）

特性

S116P22 MOSFET 具备多项优良特性，包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高效率。此外，该器件具备较高的最大工作电压（100V），能够适应中高电压应用场景的需求。采用 TO-247 封装，使得其在高功率操作中具有良好的热管理性能，便于安装散热片。该器件的栅极驱动设计较为简单，能够兼容常见的驱动电路。由于其具备高耐压、低导通电阻和高电流承载能力，S116P22 在电源转换、电机控制、工业自动化系统中被广泛使用。
　　此外，S116P22 还具有良好的抗雪崩击穿能力，增强了器件在瞬态电压冲击下的可靠性。这种特性使其在开关过程中能更好地应对电压尖峰，提高系统的稳定性。该器件支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，在高频应用中表现良好。同时，其封装设计支持良好的热传导，能够有效散热，确保在高温环境下依然稳定工作。

应用

S116P22 主要用于各类高功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业电源等。该器件的高电流和高耐压特性使其在电动车控制器、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统以及智能电网设备中也有广泛应用。此外，其良好的热管理和抗冲击能力也使其适用于恶劣环境下的工业控制设备。