类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：360mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SC-70（5引脚）

Z5SMC91 MOSFET具有多个关键特性，使其在低电压高频率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体能效。其次，该器件的20V漏源耐压能力可以满足多种低压功率转换需求，例如在电池供电设备中使用。此外，Z5SMC91采用了小型SC-70封装，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热性能，有助于提高系统稳定性。
　　另一个重要特性是其栅极驱动电压范围较宽，支持±12V，这使得它能够与多种控制IC和驱动器兼容。在高频开关应用中，Z5SMC91的快速开关性能可以减少开关损耗，从而进一步提高效率并降低温度上升。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品设计。
　　可靠性方面，Z5SMC91经过严格测试，具备良好的耐用性和长期稳定性，能够在各种工作条件下保持一致的性能。其高抗静电能力和良好的热稳定性使其在工业控制、便携式设备和通信系统中广泛应用。

Z5SMC91广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效、小型化设计的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为同步整流器或开关元件，实现高效的电压转换。此外，它也适用于负载开关电路，用于控制电源通断，如在移动设备中的电池管理系统。在电机驱动器、LED背光驱动和智能功率模块中，Z5SMC91同样能提供可靠性能。由于其高频特性，该器件也常用于无线充电系统、USB PD电源管理以及各种低电压功率调节电路。

Si2302DS, 2N7002, FDV301N, AO3400A