类型：齐纳二极管
　　封装类型：表面贴装（SOD-123）
　　齐纳电压（Vz）：12V（标称值）
　　齐纳电流（Iz）：20mA（测试电流）
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　最大反向漏电流：100nA（在Vz - 0.1V时）
　　最大阻抗（Zzt）：40Ω（在Iz = 20mA时）

1N6269AHE3_A/D齐纳二极管具有多项优异的电气特性和稳定性能。首先，该器件的齐纳电压精度高，通常误差在±5%以内，能够满足大多数精密电压调节需求。其次，其低动态阻抗确保了在负载变化时输出电压的稳定性，适用于高稳定性的电路设计。
　　此外，1N6269AHE3_A/D采用SOD-123小尺寸表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，提高了电路设计的灵活性。该封装还具备良好的热性能，能够有效散热，提高器件的可靠性和使用寿命。
　　该齐纳二极管在温度稳定性方面表现优异，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电压输出，适用于工业控制、通信设备、电源管理和消费类电子产品等环境条件多变的应用场景。

1N6269AHE3_A/D齐纳二极管广泛应用于各种电子电路中，主要作为电压参考源或电压调节元件。常见应用包括开关电源、稳压电路、电池充电器、电压检测电路以及过压保护电路等。
　　在工业控制系统中，该器件可用于提供稳定的参考电压，以确保控制系统中的模拟和数字电路正常运行。在通信设备中，1N6269AHE3_A/D可用于稳压和保护敏感的射频和模拟电路，防止电压波动对系统性能的影响。
　　此外，该齐纳二极管还可用于LED驱动电路、嵌入式系统和便携式电子设备中，提供精确的电压调节和保护功能。其小尺寸封装也使其适用于空间受限的设计，如智能穿戴设备和手持仪器。

1N5242B-T, MMSZ5242B, BZX84-C12