类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：4.8W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SO-8 PowerPAK

BS-21-10-P MOSFET晶体管具备多项优异性能，适合多种高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于电池供电设备和高能效电源转换器尤为重要。
　　其次，该器件的最大漏源电压为30V，能够满足多数低压功率转换应用的需求，例如同步整流、负载开关和电机驱动。其最大连续漏极电流为10A，具备良好的电流处理能力，同时在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　此外，BS-21-10-P采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的散热性能，能够在有限空间内实现高效的热管理。这种封装形式也支持自动化表面贴装工艺，提高了生产效率。
　　该MOSFET还具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），适用于严苛环境条件下的工业和汽车电子应用。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为4.5V~10V），便于与微控制器或PWM控制器配合使用，实现高效开关控制。
　　总体而言，BS-21-10-P是一款性能稳定、效率高、适用范围广的功率MOSFET器件，适合用于现代电子系统中的功率管理与控制。

BS-21-10-P广泛应用于多种电子系统和模块中，主要用于功率转换和管理领域。其典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、锂电池保护电路、负载开关、电机驱动器以及电源管理系统等。
　　在同步整流电路中，BS-21-10-P可用于替代传统二极管，显著提高转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET常用于高低边开关，支持高效的电压调节。此外，该器件也常用于便携式设备中的电池充放电管理，确保系统的稳定性和安全性。
　　在工业控制领域，BS-21-10-P可用于驱动小型电机、继电器或LED照明系统，提供可靠的开关性能。其高电流承载能力和低导通电阻特性，使其在需要高效能、低功耗的场合表现尤为出色。
　　在汽车电子系统中，该器件可应用于车载充电器、ECU（电子控制单元）中的功率控制模块以及LED照明驱动电路，满足高温和高可靠性要求。

Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDS6675