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H9HKNNNCTUMUAR 发布时间 时间:2025/9/1 22:40:34 查看 阅读:9

H9HKNNNCTUMUAR 是一款由 SK Hynix(海力士)公司制造的高密度、高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于 LPDDR5(低功耗双倍数据速率第五代)系列,专为高性能、低功耗的移动设备和嵌入式系统设计。

参数

类型:LPDDR5 SDRAM
  容量:16Gb(Gigabit)
  封装:BGA(Ball Grid Array)
  数据速率:6400Mbps
  电压:1.05V(VDD)/ 0.5V(VDDQ)
  接口:16位总线宽度
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:根据具体封装形式而定

特性

H9HKNNNCTUMUAR 具备多项先进的技术特性,使其适用于高性能移动设备和嵌入式应用。首先,该芯片采用了 LPDDR5 标准,提供高达 6400Mbps 的数据传输速率,显著提升了内存带宽,从而增强了设备的整体性能。其次,该芯片的工作电压较低,VDD 为 1.05V,VDDQ 为 0.5V,降低了功耗,延长了设备的电池寿命,非常适合智能手机、平板电脑以及高性能计算设备。此外,H9HKNNNCTUMUAR 支持多种节能模式,包括深度电源关闭模式(Deep Power Down Mode)和自刷新模式(Self-Refresh Mode),进一步优化了能耗管理。该芯片还具备良好的热管理能力,可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛的环境条件。封装方面,它采用先进的 BGA 封装技术,确保了高频操作下的信号完整性和稳定性。最后,这款 DRAM 芯片具有高集成度和可靠性,适用于高端移动处理器平台和嵌入式系统。

应用

H9HKNNNCTUMUAR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、高性能嵌入式系统以及汽车信息娱乐系统等领域。由于其高带宽、低功耗和良好的热稳定性,该芯片特别适合用于需要快速数据处理和图形渲染的设备,例如搭载旗舰级应用处理器的移动设备。此外,该芯片也可用于工业级嵌入式系统和边缘计算设备,以满足对高性能内存的需求。

替代型号

H9HKNNNCRUMUAR, H9HKNNNCHUMUDR, H9HKNNDCTUMUBR

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