时间：2025/9/1 22:40:34
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H9HKNNNCTUMUAR 是一款由 SK Hynix（海力士）公司制造的高密度、高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于 LPDDR5（低功耗双倍数据速率第五代）系列，专为高性能、低功耗的移动设备和嵌入式系统设计。
类型：LPDDR5 SDRAM
容量：16Gb（Gigabit）
封装：BGA（Ball Grid Array）
数据速率：6400Mbps
电压：1.05V（VDD）/ 0.5V（VDDQ）
接口：16位总线宽度
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装尺寸：根据具体封装形式而定
H9HKNNNCTUMUAR 具备多项先进的技术特性，使其适用于高性能移动设备和嵌入式应用。首先，该芯片采用了 LPDDR5 标准，提供高达 6400Mbps 的数据传输速率，显著提升了内存带宽，从而增强了设备的整体性能。其次，该芯片的工作电压较低，VDD 为 1.05V，VDDQ 为 0.5V，降低了功耗，延长了设备的电池寿命，非常适合智能手机、平板电脑以及高性能计算设备。此外，H9HKNNNCTUMUAR 支持多种节能模式，包括深度电源关闭模式（Deep Power Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），进一步优化了能耗管理。该芯片还具备良好的热管理能力，可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛的环境条件。封装方面，它采用先进的 BGA 封装技术，确保了高频操作下的信号完整性和稳定性。最后，这款 DRAM 芯片具有高集成度和可靠性，适用于高端移动处理器平台和嵌入式系统。
H9HKNNNCTUMUAR 主要应用于高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、高性能嵌入式系统以及汽车信息娱乐系统等领域。由于其高带宽、低功耗和良好的热稳定性，该芯片特别适合用于需要快速数据处理和图形渲染的设备，例如搭载旗舰级应用处理器的移动设备。此外，该芯片也可用于工业级嵌入式系统和边缘计算设备，以满足对高性能内存的需求。
H9HKNNNCRUMUAR, H9HKNNNCHUMUDR, H9HKNNDCTUMUBR
