时间：2025/5/14 16:56:42
阅读：2
SI2301W是Vishay Siliconix推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用WSOIC6封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效能、高频应用场合。由于其出色的性能和可靠性，SI2301W被广泛用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
总栅极电荷：15nC
输入电容：950pF
工作温度范围：-55℃至150℃
SI2301W具备低导通电阻和低栅极电荷的特点，从而能够实现高效的功率转换。此外，它还具有快速开关能力，能够在高频应用中减少开关损耗。
该器件使用了先进的制造工艺，在保证高性能的同时也提升了产品的可靠性和稳定性。其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
另外，SI2301W的工作温度范围较宽，适应多种环境条件下的使用需求。
SI2301W常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及其他需要高效功率转换的应用中。在便携式设备如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等领域也有广泛应用。
同时，由于其高电流承载能力和良好的热性能，SI2301W还可应用于工业自动化系统中的电源管理和信号处理部分。
SI4461DY, IRF7843, FDP5500
