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AOD423 发布时间 时间:2025/4/29 10:20:17 查看 阅读:1

AOD423是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于小信号MOSFET类别。该器件通常用于低功率开关应用中,能够以较小的封装提供高效的开关性能。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,AOD423适合用在需要高效率和高频工作的电路中。它的典型应用包括负载开关、DC-DC转换器、电池保护以及便携式电子设备中的电源管理模块等。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):1.8A
  导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
  功耗(Pd):0.5W
  结温范围(Tj):-55℃ to 150℃
  封装类型:SOT-23

特性

AOD423具有以下特点:
  1. 高效的开关能力,使其能够在高频条件下保持较低的功率损耗。
  2. 极低的导通电阻,减少传导时的能量损失。
  3. 快速的开关速度,适用于多种高速数字电路。
  4. 小型SOT-23封装设计,便于在空间受限的应用场景中使用。
  5. 良好的热稳定性,确保在较宽温度范围内可靠工作。
  6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

AOD423主要应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的电源管理单元,例如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
  2. DC-DC转换器及降压升压电路中的开关元件。
  3. 负载开关,用于动态控制不同电路模块之间的供电状态。
  4. 电池管理系统中的过流和短路保护电路。
  5. 各种小型化、轻量化设计需求的工业控制和通信设备。

替代型号

AO3400
  IRLZ44N
  FDMC8819

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AOD423参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥2.78386卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Ta),70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V,20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.2 毫欧 @ 20A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)65 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2760 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.5W(Ta),90W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63