类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50A
　　漏源击穿电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.018Ω（典型值）
　　功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　引脚数：3
　　安装方式：通孔安装

Z0861505PCS 具备一系列出色的电气和热性能特性。其低导通电阻确保在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体系统的效率。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定运行。其最大漏极电流可达50A，适用于中高功率应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载切换电路。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的+10V至+15V驱动电平，兼容标准MOSFET驱动电路。其TO-220封装形式有助于有效散热，适合在散热条件有限的环境中使用。Z0861505PCS 还具备快速开关能力，能够降低开关损耗，提高系统的动态响应速度。
　　在安全性和保护方面，该MOSFET内置一定的过温保护能力，并能承受一定的雪崩能量，增强了在异常工作条件下的稳定性。这使得它在工业控制、汽车电子和消费类电源系统中都能发挥良好的性能。

Z0861505PCS 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。在开关电源（SMPS）中，它可用于主开关元件，以提高电源转换效率并减小体积。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高频开关，实现高效能量传输。在电机驱动和负载开关电路中，Z0861505PCS 可以承受较高的瞬态电流，确保设备稳定运行。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS（不间断电源）、LED驱动器以及各种工业自动化控制设备。由于其良好的热稳定性和较强的电流处理能力，Z0861505PCS 在需要高可靠性和高效率的电源设计中表现出色。

STP55NF06, IRFZ44N, FDP6676, IRLB8721