时间：2025/4/29 10:35:42
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K9WAG08U1F-SIBO 是一款由三星（Samsung）生产的NAND闪存芯片，采用MLC（多层单元）技术。该芯片广泛应用于需要大容量数据存储的设备中，如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、记忆卡等。它支持高速数据传输，并具备高可靠性和耐用性，满足现代电子设备对存储性能的需求。
容量：8GB
接口：Toggle DDR 2.0
电压：1.8V
封装：BGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
页大小：16KB
块大小：512KB
I/O性能：最高200MT/s
K9WAG08U1F-SIBO 使用MLC NAND闪存技术，每个存储单元可保存2位数据，相比SLC NAND提供了更高的存储密度和更低的成本。
该芯片支持Toggle DDR 2.0接口协议，能够实现更高效的读写速度，适合高性能存储应用。
其1.8V的工作电压设计有助于降低功耗，延长设备电池寿命。
此外，该芯片具有强大的纠错功能和数据保护机制，保证了长时间使用下的数据完整性。
通过优化的封装方式和紧凑的设计，这款芯片非常适合在空间受限的应用场景中使用。
K9WAG08U1F-SIBO 主要应用于消费类电子产品中的存储模块，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、SD卡、eMMC模组等。
此外，它还适用于工业控制设备、网络通信设备以及嵌入式系统的数据存储解决方案。
由于其高可靠性和宽温范围的支持，这款芯片也适合在恶劣环境下运行的设备，例如汽车电子系统和户外监控设备。
K9WBG08U1M-SIBO
K9WCG08U5M-SICB
K9WCG08U1M-SICB
