型号：UT3P06
　　类型：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-3A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8A
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS = -10V
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=10V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 24ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SOT-23

UT3P06采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这一结构显著降低了器件的导通电阻，同时提升了单位面积内的载流能力，使其在同类P沟道MOSFET中表现出优异的导通性能。其低RDS(on)特性意味着在实际应用中能够有效减少导通损耗，提高整体系统效率，特别是在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。该器件的阈值电压范围适中，确保在常见的逻辑电平下即可实现可靠开启与关断，避免因驱动不足导致的线性区工作问题。其栅极电荷较低，配合较小的输入电容，使得开关速度较快，适用于高频开关场合，如同步整流或快速响应的电源管理模块。此外，UT3P06具备良好的热稳定性，其热阻特性经过优化，即使在高负载条件下也能保持稳定的性能输出。器件内部集成的体二极管具有较低的正向压降和较快的反向恢复速度，可在负载突变或反向电流出现时提供有效的续流路径，防止电压尖峰对系统造成损害。所有这些特性共同保证了UT3P06在复杂电磁环境下的稳定运行，尤其适合用于移动设备中的电池保护板、热插拔控制电路以及各类低电压直流开关系统。
　　值得一提的是，UT3P06的SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且引脚间距标准，兼容自动化贴片工艺，有利于大规模生产。该封装还具备一定的散热能力，通过PCB铜箔即可实现有效散热，无需额外增加散热片，进一步降低了系统成本。器件符合RoHS环保要求，并通过多项可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环试验，确保长期使用的可靠性。此外，UT3P06对静电敏感度（ESD）有一定的防护能力，但仍建议在使用过程中采取适当的防静电措施以保障器件完整性。总体而言，UT3P06凭借其优良的电气性能、紧凑的封装和高可靠性，成为众多中小型功率开关应用中的理想选择。

UT3P06常用于各类低电压、中等电流的开关控制场景。典型应用包括便携式电子产品中的电池充电管理与放电保护电路，作为高端开关实现电源通断控制；在DC-DC降压或升压转换器中用作同步整流开关，提升转换效率；也可作为负载开关用于隔离不同功能模块的供电路径，实现节能待机或故障隔离。此外，该器件适用于各种过流保护、热插拔控制以及电机驱动中的低端或高端开关配置。由于其P沟道特性，特别适合用于不需要复杂驱动电路的高端驱动方案，例如在电源多路复用或冗余电源切换系统中发挥关键作用。工业控制领域的传感器供电模块、PLC数字输出通道以及小型继电器驱动电路也常采用UT3P06来实现高效可靠的开关功能。在消费类电子如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、移动电源等设备中，UT3P06因其小尺寸和高性能而被广泛采用。同时，其良好的温度适应性和稳定性也使其可用于汽车电子中的低功耗控制单元，如车灯控制、车窗升降或车载信息娱乐系统的电源管理部分。总而言之，凡涉及-20V以内电压等级、需要P沟道MOSFET进行高效开关控制的应用，UT3P06均是一个值得考虑的优选器件。

AO3415, AODM3415, Si2301, FDMC86206, BSS84