类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：40V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：26nC
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

Z04F MOSFET采用了先进的SuperFET技术，有效降低了导通电阻并提升了器件的开关性能。其5.5mΩ的RDS(on)显著减少了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该器件的栅极电荷仅为26nC，有助于降低开关损耗，从而在高频应用中实现更高的性能。
　　此外，Z04F具备出色的热稳定性和高电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其最大漏极电流可达30A，适用于高功率密度设计。器件的封装形式包括TO-220和D2PAK，便于散热并提高可靠性。
　　Z04F的温度范围覆盖-55°C至+175°C，适合在各种工业环境和严苛条件下使用。该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发负载或电感负载切换时的鲁棒性。

Z04F MOSFET主要应用于各类电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关。其高效率和低导通电阻特性使其非常适合用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。此外，该器件在工业自动化控制、电机驱动、逆变器以及新能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中也具有广泛的应用前景。
　　由于其优异的热性能和大电流能力，Z04F也可用于高功率密度的便携式设备电源管理模块，如笔记本电脑、服务器电源和工业计算机。在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等场景。

STL30F40L、IRF3710、FDP30N40、IPW60R045C6