FMW47N60S1HFS31PP-P2 是一款由富士电机(Fuji Electric)设计制造的功率MOSFET器件,主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用了先进的超级结(Super Junction)技术,具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的开关性能。该型号通常用于电源转换系统、电机驱动、工业控制和各种高效率电源应用中。
类型:功率MOSFET
技术:超级结(Super Junction)
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id)@25℃:47A
导通电阻(Rds(on)):最大值18mΩ
栅极电压范围:±30V
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-247
功率耗散(Pd):200W
FMW47N60S1HFS31PP-P2 MOSFET的核心优势在于其超级结结构,该结构显著降低了导通电阻,同时保持了良好的击穿电压稳定性。这种设计使器件在高电压应用中表现出较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。
此外,该器件具备出色的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行,适用于高可靠性要求的工业和电力电子设备。该MOSFET的封装设计(TO-247)有助于提高散热效率,确保在高功率条件下的稳定运行。
其高抗雪崩能力也使其适用于电机驱动、开关电源和逆变器等要求严苛的场景。由于其低栅极电荷(Qg)和快速开关特性,FMW47N60S1HFS31PP-P2 可有效降低开关损耗,提高系统响应速度。
最后,该器件符合RoHS环保标准,适合现代绿色电子产品的设计需求。
FMW47N60S1HFS31PP-P2 MOSFET广泛应用于多个领域,包括工业电源系统、不间断电源(UPS)、电机控制与驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及各种高功率开关电源。该器件在这些应用中主要用于高效能的电能转换与控制,提升设备的整体效率与稳定性。
FMW60N60S1HFS31PP-P2, FCH47N60S3HFS, FQA47N60S1H