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502R29N100KV3E-****-SC 发布时间 时间:2025/7/8 19:31:58 查看 阅读:16

502R29N100KV3E-****-SC 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)元器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换场景。该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列,具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间:ton=17ns, toff=12ns
  结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:Super SO-8

特性

502R29N100KV3E-****-SC 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低传导损耗。
  2. 高效的开关性能,适合高频应用。
  3. 良好的热稳定性和耐热冲击能力。
  4. 内置 ESD 保护功能,提升可靠性。
  5. 小型化的 Super SO-8 封装,节省 PCB 空间并优化散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

这款 MOSFET 适用于多种高功率密度的电路中,具体应用包括:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器中的功率模块。
  5. 工业控制设备中的负载切换。
  6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS) 中的功率管理元件。

替代型号

502R29N100KV3E-A***-TC, IRF2907ZPBF, FDP29N10A

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502R29N100KV3E-****-SC参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列SC
  • 电容10pF
  • 电压 - 额定250VAC
  • 容差±10%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用安全
  • 额定值X1Y2
  • 封装/外壳1808(4520 公制)
  • 尺寸/尺寸0.189" L x 0.080" W(4.80mm x 2.03mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.085"(2.16mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称709-1262-6