502R29N100KV3E-****-SC 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)元器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换场景。该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET 系列,具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:29A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关时间:ton=17ns, toff=12ns
结温范围:-55℃至175℃
封装类型:Super SO-8
502R29N100KV3E-****-SC 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,适合高频应用。
3. 良好的热稳定性和耐热冲击能力。
4. 内置 ESD 保护功能,提升可靠性。
5. 小型化的 Super SO-8 封装,节省 PCB 空间并优化散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这款 MOSFET 适用于多种高功率密度的电路中,具体应用包括:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器中的功率模块。
5. 工业控制设备中的负载切换。
6. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS) 中的功率管理元件。
502R29N100KV3E-A***-TC, IRF2907ZPBF, FDP29N10A