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YS3Z12VBT1G 发布时间 时间:2025/6/12 5:04:03 查看 阅读:7

YS3Z12VBT1G 是一款高性能、低功耗的开关二极管,广泛应用于电源管理、信号处理以及保护电路中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,确保了高可靠性和稳定性。其主要功能是提供高效的单向导电性,同时具备快速恢复特性和较低的正向电压降。
  YS3Z12VBT1G 在设计上优化了热性能和电气性能,使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。这种二极管特别适合于高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等场景。

参数

类型:开关二极管
  最大正向电流:3A
  峰值反向电压:1200V
  正向电压:1.2V
  反向恢复时间:65ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

YS3Z12VBT1G 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:支持高达 1200V 的峰值反向电压,适用于高压应用场景。
  2. 快速恢复特性:65ns 的反向恢复时间确保了在高频开关环境下的高效运行。
  3. 低正向压降:仅 1.2V 的正向电压降低了功率损耗,提升了整体效率。
  4. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 +175℃ 的极端温度条件,适应各种恶劣环境。
  5. 稳定性与可靠性:采用优质材料和先进工艺制造,保证长期使用中的性能一致性。
  6. 封装优势:TO-220 封装形式便于散热,并且易于集成到现有系统中。

应用

YS3Z12VBT1G 的典型应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流功能。
  2. 电机驱动电路中的保护元件。
  3. 逆变器和转换器中的高频开关组件。
  4. 工业自动化设备中的电源管理模块。
  5. 电动汽车和混合动力汽车中的高压电路保护。
  6. 太阳能逆变器以及其他可再生能源相关设备中的关键部件。

替代型号

YS3Z12VBT2G
  YS3Z12VBH1G
  MUR160T
  1N5819

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