时间：2025/8/9 18:21:30
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YG865C12R是一款功率MOSFET，通常用于需要高效率和高性能的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适合应用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等领域。其封装设计有助于散热，从而提升整体系统可靠性。
类型: MOSFET
技术: N沟道
漏极电流（ID）: 12A
漏-源电压（VDS）: 60V
导通电阻（RDS(on))): 0.012Ω
封装类型: TO-252
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
栅极电压（VGS）: ±20V
YG865C12R具有非常低的导通电阻，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力使其适用于各种高压应用。此外，它还具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提高响应速度。TO-252封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，YG865C12R还具备优异的雪崩能量承受能力，提高了器件在极端条件下的稳定性。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力，确保了长期使用的可靠性。该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。
YG865C12R常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电源管理系统以及各种高功率电子设备中。由于其高可靠性和高效性能，也广泛应用于汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中。
IRFZ44N, STP12NM60ND, FDPF6N60
