DMT6017LFDF 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,采用先进的制造工艺和封装技术。该器件主要用于高效率的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使得 DMT6017LFDF 在各种功率转换场景中表现出色。
DMT6017LFDF 属于 N 沟道增强型 MOSFET,能够有效降低传导损耗并提高整体系统效率。其封装形式为 LFDF(Low-Profile Dual Flat),具有良好的散热性能和紧凑的体积设计,适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:17A
导通电阻:4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
总功耗:130W
结温范围:-55℃ 至 +175℃
输入电容:1300pF
开关时间:ton=9ns,toff=18ns
DMT6017LFDF 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以显著减少功率损耗,提升效率。
2. 快速的开关速度,适用于高频开关应用,有助于减小滤波器尺寸和提高功率密度。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 紧凑的 LFDF 封装设计,既节省了 PCB 空间,又提供了优异的热性能。
5. 宽工作温度范围,使其能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
DMT6017LFDF 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的逆变器和转换器组件。
DMT6017LDFS, IRF6672, FDP5540