时间：2025/8/9 8:49:29
阅读：27
YG855C12R 是一款由 YG Semiconductor（阳泰半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和快速的开关特性。该器件通常采用TO-252（DPAK）封装，适合于空间受限的应用。YG855C12R 的设计目标是在高频率和高电流条件下提供稳定的性能，适用于诸如DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：120V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：8A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
YG855C12R MOSFET 具备一系列优异的电气和物理特性。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件具有较高的耐压能力（Vds = 120V），能够在高压环境中稳定工作，适合多种电源管理应用。此外，YG855C12R 的栅极驱动电压范围宽广（±20V），使得它可以与多种类型的控制器兼容，增强了设计的灵活性。
该MOSFET还具备快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高系统的响应速度和效率。同时，其热稳定性良好，能够在高温环境下保持性能稳定，延长了器件的使用寿命。TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和节省PCB空间。
此外，YG855C12R 具有较高的可靠性和耐用性，经过严格的测试以确保在各种工作条件下的稳定性和一致性。其设计符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的电子产品。
YG855C12R MOSFET 主要应用于需要高效率、高可靠性和小尺寸设计的电力电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可以作为主开关器件，提供高效的电压转换；在电源管理系统中，它可用于负载开关或稳压电路，实现精确的电源控制。此外，该器件也适用于电机驱动电路、LED照明驱动器、电池管理系统以及工业自动化控制系统等应用领域。
由于其优异的开关特性和高耐压能力，YG855C12R 还可用于高频率开关电源（SMPS）中的功率开关，帮助减少系统的体积和重量，同时提高转换效率。在新能源领域，如太阳能逆变器或电动车充电模块中，该MOSFET也能提供稳定的性能支持。
SiR855DP-T1-GE3, IPB08N120N5ATMA1
