S1B是一款低功耗、高精度的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于位置检测、速度测量和电流感应等场景。该芯片基于先进的CMOS技术制造,具有卓越的温度稳定性和抗干扰能力。S1B能够提供线性输出电压,与磁场强度成比例关系,适合工业自动化、汽车电子以及消费类电子产品中的非接触式检测应用。
S1B集成了信号调节电路和温度补偿功能,确保在宽温范围内的稳定性能。此外,其封装小巧,便于集成到各种设计中,同时支持表面贴装工艺,提高了生产的自动化程度。
工作电压:2.8V~5.5V
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:1.3mV/Gs(典型值)
温度范围:-40℃~125℃
带宽:8kHz
电源电流:1.7mA(最大值)
封装形式:TO-92S, SOT-23
S1B的主要特性包括:
1. 高灵敏度和线性输出,适用于精确的磁场检测。
2. 内置温度补偿电路,保证了芯片在极端温度下的稳定性。
3. 超低功耗设计,非常适合电池供电设备。
4. 宽工作电压范围,兼容多种供电系统。
5. 小型化封装,易于集成到紧凑型设计中。
6. 工业级工作温度范围,满足恶劣环境下的应用需求。
7. 提供模拟电压输出,便于与后续信号处理电路连接。
S1B广泛应用于以下领域:
1. 位置传感器:用于无刷直流电机换向控制或旋转角度测量。
2. 速度传感器:在轮速计、风扇转速监测等领域发挥重要作用。
3. 电流传感器:通过检测磁场间接测量电流大小。
4. 汽车电子:如档位选择器、刹车踏板位置检测等。
5. 工业自动化:例如阀门开闭状态监控、液位检测等。
6. 消费类电子产品:游戏手柄按键检测、智能家居设备等。
A1120EUT-T, TLZ4100G, MLX90269