时间：2025/7/9 3:14:13
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GQM2195C2E130JB12D是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够有效提高系统的效率和可靠性。
该型号属于沟道增强型MOSFET系列，适合中高电压应用场景，具有出色的电气特性和稳定性，是现代电子设计中的理想选择。
型号：GQM2195C2E130JB12D
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：130V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：65A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗(Pd)：280W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
总栅极电荷(Qg)：100nC
输入电容(Ciss)：4200pF
输出电容(Coss)：80pF
反向传输电容(Crss)：12pF
GQM2195C2E130JB12D具有以下显著特性：
1. 低导通电阻(Rds(on))，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用，减少开关损耗。
3. 良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行。
4. 高击穿电压，适用于高电压应用场景。
5. 封装坚固耐用，便于散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
这些特性使GQM2195C2E130JB12D成为各种电力电子设备的理想选择。
这款功率MOSFET主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和AC-DC适配器。
2. DC-DC转换器和逆变器。
3. 工业电机驱动和控制。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 电动车和混合动力汽车的动力系统。
6. 通信电源和不间断电源(UPS)。
GQM2195C2E130JB12D凭借其卓越的性能和可靠性，在上述应用中表现出色。
GQM2195C2E130JA12D, IRFP260N, STP65N130K5
