时间：2025/5/30 13:26:45
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FV31N101J202ECG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能应用场合，如 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等。其封装形式为 DPAK（TO-252），具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：48nC
总电容：1450pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
FV31N101J202ECG 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，这使其非常适合需要高效功率转换的场景。
1. 低导通电阻（Rds(on)）：仅为 1.9mΩ，可显著减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能：较低的栅极电荷和输出电荷使得器件能够以高频进行切换，适合高频开关应用。
3. 高额定电流：最大支持 47A 的连续漏极电流，满足大功率负载需求。
4. 宽温度范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的环境温度下可靠运行，适应多种工业应用场景。
5. 小型封装：DPAK 封装提供紧凑的设计与优秀的散热表现，便于 PCB 布局。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关或保护电路。
5. 太阳能逆变器及其他新能源相关应用中的功率管理单元。
FDP14N10,
FDP15N10,
FDP16N10,
IRLB8748PBF
