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GA1210A561KXLAR31G 发布时间 时间:2025/6/3 11:26:32 查看 阅读:6

GA1210A561KXLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关应用中提供卓越的性能表现。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其封装形式适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。

参数

型号:GA1210A561KXLAR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  功耗(Pd):18W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装:TO-252(DPAK)

特性

GA1210A561KXLAR31G具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,显著降低了传导损耗,提升了系统效率。
  2. 高速开关能力,优化了栅极电荷设计,使得开关频率可以达到数百kHz。
  3. 强大的雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 小型化的封装形式,便于集成到紧凑型电路板设计中。
  5. 工作温度范围宽广,适用于各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

该功率MOSFET芯片主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC/DC转换器和DC/DC转换器中的同步整流。
  2. 电池管理系统(BMS),用于锂离子电池组的保护和充放电控制。
  3. 电机驱动,为无刷直流电机或步进电机提供高效的驱动方案。
  4. 负载开关,在便携式电子设备中实现快速切换功能。
  5. 过流保护电路,确保系统在异常情况下不会受到损坏。
  6. 其他需要高频、高效功率开关的应用场景。

替代型号

GA1210A561KXLAR31G, IRF540N, FDP5570N

GA1210A561KXLAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-