GA1210A561KXLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够在高频开关应用中提供卓越的性能表现。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其封装形式适合表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号:GA1210A561KXLAR31G
类型:N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
功耗(Pd):18W
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装:TO-252(DPAK)
GA1210A561KXLAR31G具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为4.5mΩ,显著降低了传导损耗,提升了系统效率。
2. 高速开关能力,优化了栅极电荷设计,使得开关频率可以达到数百kHz。
3. 强大的雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 小型化的封装形式,便于集成到紧凑型电路板设计中。
5. 工作温度范围宽广,适用于各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
该功率MOSFET芯片主要应用于以下几个领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC/DC转换器和DC/DC转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统(BMS),用于锂离子电池组的保护和充放电控制。
3. 电机驱动,为无刷直流电机或步进电机提供高效的驱动方案。
4. 负载开关,在便携式电子设备中实现快速切换功能。
5. 过流保护电路,确保系统在异常情况下不会受到损坏。
6. 其他需要高频、高效功率开关的应用场景。
GA1210A561KXLAR31G, IRF540N, FDP5570N