时间：2025/8/9 15:44:22
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YG811S06R 是一款由 YG Semiconductor 生产的 N 沟道功率 MOSFET。这种类型的晶体管常用于高功率应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池充电系统。YG811S06R 的设计使其能够在高频率下工作，同时保持较低的导通电阻，从而减少能量损耗并提高效率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds)：60V
栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：110A（在 25°C）
导通电阻 (Rds(on))：6.5mΩ（最大值）
功耗 (Pd)：200W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：TO-263（D2Pak）
YG811S06R 具备一系列优越的电气特性，适合用于各种高功率和高频应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，以实现非常低的导通电阻，同时保持较高的开关速度和效率。其低 Rds(on) 特性可以显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行。其 TO-263 封装形式提供了良好的散热性能，适合在高电流负载下使用。此外，该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。YG811S06R 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。其广泛的工作温度范围也使其适用于工业级和汽车级应用。
YG811S06R 常用于各种高功率电子系统，包括电源供应器、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统（如电动助力转向系统和车载充电器）。由于其高频特性和低导通损耗，该器件特别适用于需要高效能和紧凑设计的开关电源（SMPS）应用。此外，它还可用于工业自动化设备和电信基础设施中的功率管理模块。
SiR142DP-T1-GE3, FDP150N65F, IRF1405, FDS6680, IPW90R120C3
