类型：静态RAM（SRAM）
　　容量：256K x 16位（总计4Mbit）
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　访问时间：6ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据保持电压：最小1.5V
　　最大工作电流：依据工作模式不同而变化
　　封装尺寸：根据具体封装型号而定

GM71V18160CT-6DR 是一款高性能异步SRAM，具备高速存取能力和低功耗特性。其主要特点包括：6ns的访问时间，适用于高速缓存和实时数据缓冲；CMOS制造工艺提供低待机电流，从而降低整体功耗；支持多种电源电压，使其在多种系统中具有良好的兼容性；数据保持电压低至1.5V，确保在系统掉电或休眠模式下数据不会丢失，非常适合用于关键数据的存储；其封装形式为TSOP，适用于空间受限的高密度电路板设计。
　　此外，该器件具有广泛的工业温度范围（-40°C至+85°C），确保在极端环境条件下也能稳定运行。GM71V18160CT-6DR 提供多种工作模式，包括高速读写、待机和数据保持模式，为系统设计者提供了灵活的功耗管理选项。其高速和低功耗的组合，使其成为通信设备、工业控制系统、网络路由器和交换机等应用的理想选择。

GM71V18160CT-6DR SRAM芯片广泛应用于需要高速数据访问和低功耗的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括网络交换机和路由器的缓存存储器、通信设备的数据缓冲、工业控制器的临时数据存储、高速数据采集系统的缓冲区、图形处理器的帧缓存以及测试设备中的临时存储器。由于其宽温工作范围和可靠的性能，该芯片也适用于汽车电子和航空航天等高要求环境中的系统。

CY7C1380C-6AAXI
　　IS61WV102416BLL-6TF
　　AS7C31026C-6BCBTR