类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：7A
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：50W
　　漏极-源极击穿电压（BVdss）：800V
　　漏极-源极饱和电流（Idsat）：7A

PFF7N80具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高漏极-源极电压（800V）使其适用于高压电路，如开关电源和逆变器设计。其次，7A的连续漏极电流能力确保了器件能够在较高负载条件下稳定工作。此外，PFF7N80的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　该器件的栅极-源极电压范围为±30V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路。PFF7N80采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下可靠运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在极端环境下使用，如工业控制系统和户外设备。
　　该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，增强了在突发故障条件下的稳定性。PFF7N80的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统效率。其栅极电荷（Qg）较低，使得驱动电路的设计更加简便，同时减少了驱动损耗。

PFF7N80广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、照明控制系统（如LED驱动器）、逆变器、工业自动化设备和消费类电子产品。由于其高耐压能力和良好的导通性能，PFF7N80常用于需要高效功率管理的电源转换系统。例如，在开关电源中，PFF7N80可以作为主功率开关，用于实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的电流控制。在照明系统中，PFF7N80可用于调节LED亮度，实现高效的能量利用。

FQP7N80, STF7N80, IRF7N80