SI8282BC-IS 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道、隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等功率开关器件。该芯片基于 Silicon Labs 的专利数字隔离技术,提供高达 5kVRMS 的电气隔离能力,适用于工业自动化、电机控制、光伏逆变器、UPS 电源等需要高可靠性和高隔离性能的场合。SI8282BC-IS 具有高驱动能力和低传播延迟,确保在高频开关应用中实现高效的功率转换。
类型:栅极驱动器
通道数:2(双通道)
隔离耐压:5kVRMS
工作电压:2.5V 至 5.5V(VDD)
输出峰值电流:1.5A(典型值)
传播延迟:65ns(最大值)
输入信号类型:CMOS/TTL 兼容
输出端供电电压:12V 至 30V(VDDH)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:8 引脚 SOIC
认证标准:UL、VDE、CSA、IEC
SI8282BC-IS 的核心优势在于其基于 CMOS 技术的数字隔离方案,具备优异的抗噪能力和长期可靠性。该芯片采用独立的双电源供电设计,输入侧(VDD)和输出侧(VDDH)可支持不同的电压,增强系统的灵活性。其输出驱动器具有高灌电流和拉电流能力,可有效驱动大功率 MOSFET 或 IGBT,降低开关损耗。
该芯片的传播延迟低至 65ns,确保在高频 PWM 控制中实现精确的时序控制,提高电源转换效率。SI8282BC-IS 还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,当 VDDH 电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件因驱动不足而损坏,提高系统稳定性。
在安全性和可靠性方面,SI8282BC-IS 通过了多项国际安全标准认证,包括 UL1577、IEC 60747-5-2 和 IEC 61010,适用于需要高隔离等级的工业和电力电子应用。其 8 引脚 SOIC 封装不仅节省 PCB 空间,还便于自动化生产和散热设计。
此外,SI8282BC-IS 支持宽温度范围(-40°C 至 +125°C),可在恶劣环境下稳定工作,适合工业级和车载应用。该芯片还具备较强的抗电磁干扰(EMI)能力,确保在高频开关状态下保持稳定运行。
SI8282BC-IS 主要应用于需要隔离驱动的功率电子系统中,如电机驱动器、伺服控制系统、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)、电焊机、变频器以及工业自动化设备等。在这些应用中,SI8282BC-IS 能有效隔离主电路与控制电路,保护低压侧的控制器和处理器免受高压电路的影响,同时提供快速、可靠的驱动信号,确保功率器件的高效开关操作。
在电机控制领域,SI8282BC-IS 可用于驱动 H 桥或三相桥式结构中的 MOSFET/IGBT,实现高精度的 PWM 控制。在光伏逆变器中,它能够提高系统效率并增强安全性,满足光伏系统对高可靠性和长寿命的要求。此外,在电源转换设备中,该芯片的低延迟和高驱动能力有助于提升整体能效和动态响应性能。
ADuM4223-1BRZ, UCC21520DWPR, HCPL-J312-000E