YG808C10 时间：2025/8/9 17:28:20 阅读：12

YG808C10是一款由国内厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻（RDS(ON)）、高耐压和高电流能力等优点，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池管理系统等多种应用场景。YG808C10通常采用TO-252或TO-263等表面贴装封装形式，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（@TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(ON)）：≤10mΩ（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）

特性

YG808C10 MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使其在同类产品中具有更低的导通电阻（RDS(ON)），从而降低了功率损耗并提高了系统效率。其导通电阻低于10mΩ，在VGS=10V时能够提供极低的电压降，有助于提高能效并减少散热设计的复杂度。此外，该器件的漏源电压为100V，栅源电压可达±20V，具备良好的电压耐受能力，适用于多种高压应用场景。
　　该MOSFET的最大连续漏极电流为80A，在适当的散热条件下可稳定工作，适合高功率密度的设计需求。其封装形式为TO-252或TO-263，支持表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度布局。TO-263封装版本通常具备更好的热性能，适合需要高效散热的应用。
　　YG808C10在高温环境下仍能保持稳定工作，其工作温度范围覆盖-55℃至+175℃，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于提高开关速度并减少开关损耗，适合高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。
　　此外，YG808C10内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，能够在感性负载切换时提供保护作用。该MOSFET还具备较强的雪崩能量耐受能力，提高了器件在突发过压情况下的可靠性。

应用

YG808C10广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括DC-DC升压/降压转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源分配单元（PDU）、工业自动化控制系统以及汽车电子模块等。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效率电源转换器和同步整流电路，而其良好的热性能和高频响应能力也使其适用于高频开关应用。