IXYP30N120C3 是 IXYS 公司生产的一款高功率、高压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压、高功率的开关应用。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),并且支持高达 1200V 的漏源电压(Vds),适用于工业电源、电机控制、可再生能源系统和高压电源转换等领域。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200V
最大漏极电流(Id):30A
最大导通电阻(Rds(on)):0.25Ω(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):4.5V ~ 6.5V
最大栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-247
IXYP30N120C3 具有多种优异的电气和热性能,适用于高电压和高功率的应用环境。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:该器件的最大漏源电压(Vds)为 1200V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于电力电子转换器、逆变器和高压电源设计。
2. 低导通电阻:Rds(on) 的典型值为 0.25Ω,降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。
3. 高电流承载能力:最大漏极电流为 30A,适合中高功率应用。
4. 优化的热设计:采用 TO-247 封装,具有良好的散热性能,提高了器件在高温环境下的可靠性。
5. 快速开关特性:MOSFET 本身的结构决定了其开关速度较快,减少了开关损耗,适合高频开关应用。
6. 稳定的栅极控制:栅极阈值电压范围适中(4.5V ~ 6.5V),便于驱动电路设计,并具有 ±20V 的最大栅极电压保护,防止栅极过压损坏。
7. 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境条件。
IXYP30N120C3 适用于多种高电压、高功率电子系统,包括:
1. 电源转换器与逆变器:用于 DC-AC、DC-DC 转换器和光伏逆变器系统中,实现高效的能量转换。
2. 电机驱动系统:在工业电机控制和电动汽车电机控制器中作为功率开关元件。
3. 高压电源供应器:适用于高压开关电源、UPS(不间断电源)系统和电池充电设备。
4. 照明系统:用于高频 HID 灯或 LED 照明的驱动电路。
5. 工业自动化与控制:在各种工业控制系统中作为高压开关控制元件。
6. 可再生能源系统:如风能和太阳能逆变系统,用于将直流电转换为交流电并网供电。
IXFH30N120P3, IXFK30N120C3